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（訊）6月20日消息，NEC開(kāi)發(fā)出一款功率放大器，將作為移動(dòng)接入和前傳/回傳無(wú)線通信設(shè)備的關(guān)鍵元器件，為6G網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)高速、大容量通信。這款功率放大器采用可量產(chǎn)的GaAs（砷化鎵）技術(shù)，據(jù)NEC稱，在150 GHz頻段實(shí)現(xiàn)了10 mW的世界最高輸出功率。

6G有望提供最大100 Gbps級(jí)的高速、大容量通信，這可以通過(guò)使用亞太赫茲頻段（100至300 GHz）有效實(shí)現(xiàn)，該頻段可提供10 GHz或更大的寬帶。特別是，國(guó)際上分配給固定無(wú)線通信的D頻段（130至 GHz）有望早日實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。

NEC稱，利用其通過(guò)開(kāi)發(fā)和運(yùn)營(yíng)5G基站無(wú)線電設(shè)備和通過(guò)超小型微波通信系統(tǒng)PASOLINK積累的高頻知識(shí)，不斷推進(jìn)相關(guān)技術(shù)開(kāi)發(fā)。

新開(kāi)發(fā)的功率放大器采用市售的微米GaAs假晶高電子遷移率晶體管（pHEMT）工藝。 與用于亞太赫茲波段的CMOS和硅鍺（SiGe）相比，GaAs pHEMT具有高工作電壓和較低的大規(guī)模生產(chǎn)初始成本。

在電路設(shè)計(jì)方面，這款功放排除了高頻頻段性能下降的因素，采用適合高輸出功率的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)配置，這使得在110 GHz和150 GHz之間實(shí)現(xiàn)了出色的高頻特性以及GaAs pHEMT的世界最高輸出功率。

NEC稱將繼續(xù)開(kāi)發(fā)旨在為 5G-Advanced和6G實(shí)現(xiàn)高速、大容量、具有成本效益的無(wú)線通信的技術(shù)。

來(lái)源：未來(lái)移動(dòng)通信論壇

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