(相關(guān)資料圖)

Compute Express Link 技術(shù)允許構(gòu)建各種設(shè)備來處理大量工作負(fù)載，從擴展內(nèi)存子系統(tǒng)容量和性能到提供超快速持久存儲。作為全球領(lǐng)先的 NAND 內(nèi)存制造商之一，Kioxia 可以解決后者。據(jù)ServeTheHome報道，最近，該公司在 2023 年閃存峰會上展示了其基于 3D NAND 和 XL-Flash 的 CXL 解決方案 。

Kioxia 透露計劃提供兩個 CXL 產(chǎn)品系列：基于 CXL + XL-Flash 的設(shè)備，用于以性能和可靠性為中心的應(yīng)用程序，例如內(nèi)存數(shù)據(jù)庫和 AI 推理工作負(fù)載，以及基于 CXL + BiCS 3D NAND 的設(shè)備大數(shù)據(jù)和人工智能培訓(xùn)等容量需求大的應(yīng)用程序。在這兩種情況下，存儲設(shè)備都使用特殊的控制器和 CXL.mem 協(xié)議進行讀取，使用 CXL.io 協(xié)議進行寫入，以最大限度地減少各自的延遲。

在演示方面，Kioxia 展示了一個基于 E1.S 外形尺寸的 1.3 TB CXL 1.1/CXL 2.0 BiCS 3D NAND 設(shè)備樣本，該設(shè)備可以安裝到 E3.S 機箱中以獲得更高的性能/熱容量。該設(shè)備使用 PCIe x4 接口(我們推測是 PCIe Gen5)，但 Kioxia 并未透露其性能特征，可能是因為開發(fā)尚未完成。

雖然通過 PCIe 接口使用基于 CXL 協(xié)議的低延遲 3D (TLC) NAND 設(shè)備似乎是一個非常合理的想法，但使用基于 XL-Flash 的存儲設(shè)備有望更加富有成效，因為與商用 3D NAND 相比，XL-Flash 的性能更高。

Kioxia 專有的第一代 XL-Flash 本質(zhì)上是分布在 16 個平面上的單級單元 (SLC) NAND，而第二代 XL-Flash 是分布在更多平面上的多級單元 (MLC) 閃存，根據(jù)定義，它可以提供讀/寫操作具有更低的延遲和更高的并行性，從而保證與主流 3D TLC NAND 相比大幅提高的性能。

關(guān)鍵詞：